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在10nm時代，由于整體換用了全新的工藝（再加上20nm到16nm轉換時臺積電步子邁得小了一點），因此最終臺積電的10nm FF相比目前廣泛使用的16nm FF除了在功耗上有40%的優勢、性能上有20%的優勢外，面積上則帶來了高達50%的面積縮減（相比之下三星的10nm對比14nm面積縮減只有大約30%）。芯片面積的縮減在注重成本的產品上非常重要，這意味著一張晶圓能夠切割出更多的芯片，實現更低的成本。不過，臺積電目前只規劃了一代10nm產品，并沒有像14nm那樣至少規劃2代產品出來。臺積電在10nm上進入得比三星稍晚了一點，但是即將在7nm上迎頭趕上—臺積電計劃在2018年就進入7nm時代，推出CLN7FF工藝。7nm工藝被認為是繼28nm、14nm后的又一個重要的工藝節點，因此頗受各大廠商的關注。
格羅方德：跳過10nm，直接進入7nm時代
格羅方德之前在14nm工藝上沒有作出重要的技術突破，在14nm之后，格羅方德深入研究10nm并最終決定跳過它。對于格羅方德的做法，業內猜測可能有如下兩個原因：
一是格羅方德經過衡量，認為10nm工藝的技術優勢相比目前格羅方德推出的14nm LPP并不顯著，商業權衡并不劃算。目前，由于半導體工藝越來越復雜，不同代次之間如果能實現比較大的PPASC（電力、性能、面積、進度和成本）差距還好，否則不同代次之間差距不大導致客戶投片也不夠積極（新版本工藝往往貴很多）。從各家10nm工藝能帶來的PPASC來看，功耗方面的收益大約在30%，面積減少也大約在30%（臺積電除外），至關重要的性能提升大約只有10%~20%，尤其是三星系的工藝。
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